- Práce byla založena na magnetických a elektronických vlastnostech feritu vizmutu.
Výzkum prováděný Centrem fyziky materiálů v San Sebastiánu ve spolupráci s Pekingskou technologickou univerzitou (Čína) vedl k objevu polovodiče pro paměťová zařízení příští generace, který je odolný vůči výpadku napájení.
Podle zprávy Centra pro fyziku materiálů (pod záštitou Nejvyšší rady pro vědecký výzkum a Baskické univerzity) by tento objev mohl vést k levnějším a účinnějším paměťovým zařízením.
Práce výzkumného týmu byla založena na magnetických a elektronických vlastnostech feritu vizmutu, modifikaci jeho atomové struktury a tím otevření cesty k paměťovým zařízením s nízkou spotřebou energie a vysokou kapacitou.
Studie ukázaly, že v paměti RAM (Random Access Memory) založené na těchto materiálech zůstávají informace zachovány i při výpadku proudu.
Naopak u dynamických pamětí RAM, hojně používaných v počítačích, se informace při výpadku proudu zcela ztrácejí, zdůrazňuje zpráva.
